自举电容的秘密你可能会疑惑,当MOS管Q1导通时,它的门极电压需要高于源极的VCC,但如何实现?这就要提到“自举电容”,它在电路中扮演着关键角色,为门极提供超过...
IR2104S半桥驱动芯片,如诗如画地整合了两对MOS管控制,全桥则扩展到四个。自举电路的精妙设计,确保了上桥臂的稳定工作,通过自举二极管和电容的协同,保持MOS管...
IR2110具有独立的低端和高端输入通道;悬浮电源采用自举电路,其高端工作电压可达600V,在15V下静态功耗仅116mW;输出的电源端(脚3Vcc,即功率器件的栅极驱动电压)电压...
aa需要吸收电路。阻尼这个震荡。主要原因来自主回路上的分布电容、电感。一般资料上都有介绍,可参考。在没解决前慎重加高电压。
full bridge converter 全桥电路 full bridge rectifier 全桥整流电路 full wave rectifier 全波整流电路 fundamental factor 基波因数 gate turn-off thyristor—...
IR2304是输入高有效并具有100ns死区的场效应管或IGBT专用栅极驱动电路,每一芯片可以驱动一个桥臂,其高位管的驱动电源是由其内部自举实现的。关于死区的概念说明...
自举电容内的储能是上臂驱动电压的来源,没有它就不能获得超过Vcc的驱动电压。
2. 第二种全桥驱动是由6个N-MOS组成,分别组成上臂和下臂,和上述不同的时原来的P-MOS都换成了N-MOS。优点是成本低...
HO和LO是两路驱动信号输出端,驱动同一桥臂的MOSFET。IR2110的自举电容选择不好,容易造成芯片损坏或不能正常工作。VB和VS之间的电容为自举电容。自举电容电压达到...
图3所示为一路桥臂的功率驱动电路。PWMH1和PWML1是由主控制器输出的PWM脉冲方波,通过功率驱动芯片IR2101驱动相应功率MOSFET管的通断。D1是快恢复二极管BYT30,C2...
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